本發明公開了一種高介電性能三元復合材料及其制備方法,屬于嵌入式電容器和半導體存儲器件等的應用領域。本發明復合材料由聚偏氟乙烯和填料組成,填料為硅烷偶聯劑KH550改性碳化硅納米線和硅烷偶聯劑KH570改性四針狀氧化鋅晶須;是按下述步驟進行的:將KH550?SiCNWs和KH570?T?ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中,室溫超聲震蕩至少2h,加入PVDF粉末,在室溫下超聲溶解反應至少4h,得到摻雜改性填料溶膠;然后進行抽濾和抽氣泡,然后鋪膜,然后烘干,得到復合薄膜;積疊放后熱壓,得高介電性能三元復合材料。相較于SiCNWs/PVDF二元復合材料,本發明的三元復合材料具有更加優異的介電性能。
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