本發明公開一種納米硅復合材料、復合材料及其制備方法及應用,涉及電池材料技術領域。納米硅復合材料包括納米硅、形成于所述納米硅表面的g?C3N4包覆層,以及形成于所述g?C3N4包覆層表面的三苯基膦包覆層,所述g?C3N4包覆層設有貫通至所述納米硅表面的第一孔洞,所述三苯基膦包覆層設有貫通至所述g?C3N4包覆層表面的第二孔洞。本發明提供一種納米硅復合材料,該材料制備得到的電池負極極片在充放電循環過程中,能夠避免電解液不斷與硅接觸,硅與電解液不斷形成不均勻的SEI膜,造成負極界面不穩定和活性物質降低的問題。
聲明:
“納米硅復合材料、復合材料及其制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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