本發明公開了制備原位TiB2顆粒和TiB晶須混雜增強Cu基復合材料的方法,在KQM?X4Y式行星式球磨機中制備兩種不同Ti和B原子比例的復合粉末,將制備的兩種不同比例的Ti?B復合粉末與電解純Cu粉在混粉機中按照一定比例進行機械混粉,之后將混合均勻的復合粉末在不銹鋼模具中冷壓成型,最后在氣氛保護爐中進行加壓燒結完成TiB2顆粒和TiB晶須混雜增強Cu基復合材料的制備。該方法制備的Cu基復合材料,同時兼備較高的導電率和硬度,解決了單一結構的增強相增強Cu基復合材料中過分依賴含量的增加而使導電率嚴重下降的問題,在一定程度上緩解了Cu基復合材料中強度和導電率這對矛盾,使該復合材料的綜合性能得到了提升。
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