本發明公開了一種具有HfB2界面的Cf/SiC復合材料的制備方法,包括:碳纖維表面活化處理,界面相的制備,多孔纖維預制體的制備,碳化硅基體的制備;其特征在于,碳化硅基體填充在纖維預制體中,形成碳纖維增強碳化硅陶瓷基復合材料,而界面層包裹在復合材料中碳纖維的表面。本發明在碳纖維表面制得耐高溫抗氧化HfB2界面相,保留了碳纖維原有力學性能,提高了碳纖維高溫抗氧化性。本發明解決了傳統碳化硅陶瓷基復合材料制備方法制備周期長,Cf/SiC復合材料中增韌相碳纖維與碳化硅基體界面相容性以及碳纖維在高溫氧化性的使用環境下容易發生氧化反應的技術問題。
聲明:
“具有HfB2界面的Cf/SiC復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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