本發明涉及一種半導體器件的制造方法。所述方法包括:提供第一晶圓,在所述第一晶圓表面上形成有接合環和覆蓋所述接合環的停止層;蝕刻部分厚度的所述停止層,以在所述接合環的內外兩側形成凹槽和通過所述凹槽與所述接合環間隔的停止環,其中,所述凹槽露出所述接合環的部分側壁;執行清洗步驟,以去除所述蝕刻過程中在所述接合環的側壁上形成的殘留物。在所述方法中在所述接合環兩側形成所述停止環的過程中僅部分地蝕刻所述停止層,而不完全去除所述第一晶圓表面的所述停止層,使所述停止層繼續覆蓋所述第一晶圓的表面,從而對所述第一晶圓形成保護,避免在清洗步驟中對所述第一晶圓造成損失。
聲明:
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