本發明公開了基于低能氬粒子束調制的二維晶體管及其制備與調控方法,屬于光電響應探測技術領域,包括:由下向上層疊設置的襯底和功能層,還包括:左電極和右電極;其中,所述左電極和右電極位于所述功能層兩側。本發明還公開了上述二維晶體管的具體制備方法,同時,還公開了根據所述功能層性能輻照前和第一次、第二次輻照后的性能對比,來探究低能氬粒子對晶體管性能的調控方法。本發明提供的二維晶體管以及調控方法不僅在硬質器件中具有廣泛的應用前景,在柔性器件應用方面也具有十分廣泛的應用前景。
聲明:
“基于低能氬粒子束調制的二維晶體管及其制備與調控方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)