本發明提出一種基于共振腔結構實現大面積超分辨光刻方法,在硅基底或硅膜層上制備包含有介質層和金屬層的共振腔結構,在共振腔結構上制備一層特殊感光材料。上層感光材料在一定傳統干涉光刻照明條件下透過率或/和折射率發生明顯變化,并在第二次照明中作為振幅型掩模光柵使用。硅基底/感光材料/金屬層組成的共振腔結構可以激發表面等離子體效應,并在共振腔體內實現上層感光材料形成的振幅型掩模光柵高頻橫向波矢的干涉,從而實現大面積的超分辨光刻。該方法與傳統的干涉光刻相結合,通過共振腔結構的二次干涉效應,可將傳統干涉光刻的分辨力至少提高2倍,為百納米量級以下特征尺寸的硅基功能器件的制備提供了一種廉價的、簡單的方法。
聲明:
“基于共振腔結構實現大面積超分辨光刻方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)