Si/β-FeSi2復合納米結構屬于復合一維半導體納米功能材料。該復合材料是經過離子注入、高溫退火、濺射Si層和化學腐蝕四大主要步驟后形成的含有納米Si和納米FeSi2顆粒的復合納米線陣列。在該方法中,可以分別通過改變離子注入的劑量以及退火溫度來控制β-FeSi2薄膜的厚度和β-FeSi2顆粒的粒徑。具有半導體性質的Si/β-FeSi2復合納米材料由于其優異的光電性能在新型光電器件,熱電器件應用方面有著很好的發展前景,是一種環保型且極具應用前景的光電材料。
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