本發明提供一種可用于中高頻減振的可調寬帶隙拉脹聲子晶體,涉及聲學功能材料領域,包括三維聲子晶體陣列,三維聲子晶體陣列包括若干呈立方點陣列分布的最小單元細胞,最小單元細胞由八個反手性結構組成,反手性結構由立方結構和連桿結構組成,連桿結構在立方結構上呈反手性分布,連桿機構的外側壁連接立方機構的外側壁的一端,連桿結構的一端頂點與立方結構的一端頂點重合。本發明質量、體積小,具有中高頻頻寬帶隙,制備方法簡單,帶隙可調。
聲明:
“可用于中高頻減振的可調寬帶隙拉脹聲子晶體” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)