本發明涉及微電子技術領域,具體是一種集成標準CMOS工藝的金屬氧化物電阻存儲器及其制備方法。該方法包括:在常規CMOS工藝完成前段工藝至鎢栓塞形成后,沉積金屬層間介質層;之后將存儲陣列部分鎢栓塞上方的介質層打開,形成第一層金屬布線溝槽,露出鎢栓塞;隨后生長金屬氧化物功能材料、電極材料、擴散阻擋層、仔晶銅以及電鍍銅,最后用化學機械拋光一步形成存儲單元及第一層金屬布線。本發明方法工藝簡便,在標準工藝的基礎上不需要額外增加光照步驟,成本低,效果好。
聲明:
“集成標準CMOS工藝的金屬氧化物電阻存儲器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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