本發明涉及信息功能材料制備領域,特別涉及一種硅基碳化硅薄膜材料制備方法,包括:將第一碳化硅晶圓和第二碳化硅晶圓鍵合形成第一鍵合結構;對所述第一鍵合結構進行退火處理,沿所述第一碳化硅晶圓的缺陷層剝離部分所述第一碳化硅晶圓;在第一碳化硅晶圓上外延生長第一純度的碳化硅外延層,所述碳化硅外延層表面形成有第三鍵合介質層;將所述第一鍵合結構和硅襯底鍵合形成第二鍵合結構;面向所述第二碳化硅晶圓切割至所述第一鍵合介質層,去除所述第二碳化硅晶圓和所述第一碳化硅晶圓,暴露所述碳化硅外延層,得到硅基碳化硅薄膜材料。本發明解決了碳化硅薄膜制備技術中單晶質量差、無法通過傳統薄膜沉積異質外延、薄膜均勻性差的技術問題。
聲明:
“硅基碳化硅薄膜材料制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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