本發明公開一種基于MoO3納米帶修飾石墨烯的室溫FET型氫氣敏感元件的制備方法及應用,屬于無機納米功能材料技術領域,其主要步驟包括:A:水熱法制備MoO3納米帶粉末;B:用磁控濺射法制備FET型氫敏元件的源極、漏極和柵極;C:采用噴涂成膜法將配置好的MoO3納米帶混合液噴涂到源漏電極的中心部位;D:退火處理。本發明中采用對氫氣敏感的MoO3納米帶修飾在石墨烯表面,可以明顯的提高石墨烯基傳感器的性能,因此在氫氣的檢測過程中,有很大的應用價值。
聲明:
“基于MoO3納米帶修飾石墨烯的室溫FET型氫氣敏感元件的制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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