本發明公開了一種a軸取向增強型AlN薄膜及其制備方法,屬于電子信息功能材料與器件技術領域。本發明采用如下制備方法:采用n型的Si(100)襯底,將其放入磁控濺射系統腔室中進行真空處理后,采用不同磁控濺射工藝并結合退火處理,首先制備a軸取向AlN緩沖層,然后在此基礎上擇優取向生長AlN薄膜,由于二者晶格匹配度高,從而改善了AlN薄膜的生長質量,降低其表面粗糙度,進而有利于提高AlN薄膜的壓電效應并降低聲表面波的傳播損耗;本發明制備過程中操作簡單易行,環保節能,原材料供應充足且價格低廉,批量化生產工藝可調控,便于批量生產及應用推廣,適合于制作現代通信技術中高性能通信元器件。
聲明:
“a軸取向增強型AlN薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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