本發明屬于半導體功能材料的制備技術領域,公開了一種超低溫制備二氧化錫晶體的方法,通過螯合的方式改變SnO2合成機理及路線,在超低的溫度范圍內,得到粒徑可調控的SnO2晶體納米顆粒。本發明方法所制備的SnO2具有高結晶性,且顆粒大小可調,并將其應用于n?i?p鈣鈦礦太陽能電池中。與現有技術相比,本發明具有原材料來源廣泛,無毒無害,成本低,穩定性好;無需復雜工藝,操作簡單,能耗較低,適用于柔性基底等優點。
聲明:
“超低溫制備二氧化錫晶體的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)