本發明屬于功能材料領域,公開了一種超順磁四氧化三鐵@二氧化硅@硫化鎘納米核殼結構材料的制備方法及其用途。本專利以SiO2為界面過渡介質,連接超順磁Fe3O4納米簇和CdS納米半導體殼層,成功制備了尺寸均一,分散均勻的Fe3O4@SiO2@CdS雙重核殼結構納米材料。這種雙重核殼結構納米材料不僅具有優異的光學性能,而且通過簡單的磁吸操作在復雜的反應中回收分離。本專利使用的合成方法,不僅操作簡單,避免了高溫高壓的苛刻的反應條件,而且有效地消除了Fe3O4和CdS晶面不匹配,雙重核殼結構形貌和分散性均有很好的保障。此外,制備的Fe3O4@SiO2@CdS核殼結構納米材料能成功應用于羅丹明B的光催化降解。
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“超順磁四氧化三鐵@二氧化硅@硫化鎘納米核殼結構材料的制備方法及其用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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