本發明屬于不揮發存儲器技術領域,具體為一種采用電場增強層的阻變存儲器結構及其制備方法。本發明的阻變存儲器包括頂電極、底電極以及位于所述頂電極與所述底電極之間的由第一層電阻轉變層和第二層電阻轉變層兼電場增強層組成的疊層;第二層電阻轉變層兼電場增強層和第一層電阻轉變層相鄰,并具有比所述第一層電阻轉變層低的介電常數。本發明選用不同介電常數的阻變功能材料組成疊層結構來調節阻變存儲結構單元中的電場分布,進而通過控制阻變存儲器器件結構中的電場分布來實現阻變存儲器在阻變過程中所形成的導電通道結構和數量上的控制。本發明的阻變存儲器性能穩定可控。
聲明:
“采用電場增強層的阻變存儲器結構及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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