本發明公開一種柔性光電子器件的制備方法,該方法采用氧化鍺作為犧牲層,通過在氧化鍺層上沉積、圖案化多種功能材料層,采用水作為腐蝕液剝離襯底,得到柔性光電子器件。該制備方法因氧化鍺可承受高溫、承受等離子體轟擊,所以可以實現高質量光學薄膜在高溫條件下,在等離子體轟擊誘導條件下的沉積和退火優化,完成高性能柔性光電子器件的制備;且在整個柔性光電子器件制備過程中,氧化鍺遇水即溶,水作為腐蝕液最大可能避免了薄膜材料的損傷,保證了器件的完整性;本發明的方法可擴展到多種類光學材料柔性光電子器件,可以廣泛應用于集成光學器件、空間光學器件和電子元器件的制備。此外,該方法還可用于實現柔性多層波導集成器件。
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“柔性光電子器件的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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