本發明屬于光電子功能材料技術領域,具體為一種ZAO半導體納米導電膜及其制備 方法。本發明在ZAO系透明導電膜上再沉積一層透明保護膜,使之能保證該復合膜具有 低電阻率、高可見光的透射率、高紅外線的反射率、耐潮與不受環境因素的影響。為了連 續生長大面積ZAO系透明導電膜,專門設計了多靶卷繞式高真空濺射臺。在高真空室內 需用冷卻系統,使柔性基底的溫度保持在60℃~150℃。電源使用不對稱脈沖直流裝置,可 使靶材表面在工作時不“中毒”,而電源的有用功率比常規電源高2倍多。濺射氣體是高 純Ar和O2,以保證膜的濺射沉積率較高以及有優良的薄膜光學和電學特性。
聲明:
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