本發明屬功能材料技術領域,具體為一種p型/n型氧化鋅薄膜及其制備方法。該薄膜的制備過程是:采用硅(100)作為基底,將其在一水平放置的石英管中加熱到設定溫度,在將盛有醋酸鋅的陶瓷舟推入石英管加熱,使其揮發分解,利用空氣作為載運氣體,將醋酸鋅蒸汽輸運至硅基底,使其分解沉積成膜。此方法制備的ZnO薄膜具有高載流子濃度,低電阻率特性,且可以通過溫度控制,選擇制備p型或n型薄膜。
聲明:
“p型或n型氧化鋅薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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