本發明提供一種半導體器件及其制備方法和電子裝置。所述方法包括:提供半導體襯底,在所述半導體襯底上形成有功能材料疊層和離子注入掩膜層;以所述離子注入掩膜層為掩膜對所述功能材料疊層進行離子注入;去除所述離子注入掩膜層;對所述功能材料疊層的表面進行清洗,所述清洗方法包括氨溶液?過氧化氫溶液混合液的熱清洗步驟、稀釋HF的清洗步驟和O3清洗步驟。通過所述方法可以完全去除所述功能材料疊層上存在的殘留物,解決目前工藝中的隆起缺陷(worse?bump?defect)。
聲明:
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