一種基于二維功能材料制備柔性光探測器的方法,本發明涉及光探測器的制備方法。本發明是要解決現有的現有的柔性光探測器的光刻工藝技術成本高且難以實現批量化生產的技術問題。方法:一、制備半導體材料單晶硒化鎵或單晶硫化鎵;二、用思高膠帶在半導體材料表面粘貼-剝離;三、將二維結構半導體材料轉移至基底上;四、將銅制掩膜覆到經步驟三處理的基底上,沉積金層和鉻層;再去掉掩膜退火處理;五、利用半導體測試儀,篩選出步驟四得到的光探測器半成品中對紫外光有光電響應的電極對,即得到基于二維功能材料制備柔性光探測器。該光探測器紫外光響應度高達100AW-1以上??勺鳛槲㈦娮悠骷?、光敏器件用于信息傳輸和儲存領域。
聲明:
“基于二維功能材料制備柔性光探測器的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)