本申請公開了一種多晶硅半熔鑄錠工藝,屬于光伏技術領域。該多晶硅半熔鑄錠工藝包括下述步驟:1)裝料階段:將硅料裝填入坩堝,轉移坩堝至鑄錠爐;2)加熱、熔化階段:關閉隔熱籠,將鑄錠爐抽至真空,加熱、熔化硅料,在熔化階段中后期逐步打開隔熱籠至第一開度;3)長晶階段:控制隔熱籠的上升速度調整坩堝底部的溫度控制長晶速度,結晶階段的隔熱籠的上升至少包括順序調整的第一上升速率、第二上升速率和第三上升速率三個階段;4)退火、冷卻階段即制得多晶硅錠。該工藝制備的多晶硅高效產出率高,多晶硅錠的長晶初期形成的底部的缺陷少。
聲明:
“多晶硅半熔鑄錠工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)