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多晶硅半熔鑄錠用坩堝及其噴涂工藝和應用

1055   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 15:02:22
本申請公開了一種多晶硅半熔鑄錠用坩堝及其噴涂工藝和應用,屬于光伏技術領域。該多晶硅半熔鑄錠用坩堝,包括坩堝本體和噴涂在坩堝本體內部表面的氮化硅層,所述氮化硅層的厚度為1mm?2mm。該坩堝可防止坩堝本體中的雜質滲入多晶硅鑄錠中,并且不會在多晶硅鑄錠過程中脫落而與坩堝本體粘連;該坩堝的制備工藝簡單,坩堝表面的氮化硅層光滑;使用該坩堝制備多晶硅錠的良率高。
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“多晶硅半熔鑄錠用坩堝及其噴涂工藝和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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