本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠工藝及其用坩堝,屬于光伏技術領域。該多晶硅全熔鑄錠用坩堝包括坩堝本體和依次固定在坩堝內底部的石英砂和第一脫膜層,所述坩堝本體內側面涂覆第二脫膜層。第一脫膜劑和第二脫膜劑均包含氮化硅。本申請的坩堝即可以防止多晶硅的氧化,又可以防止多晶硅錠的粘鍋,坩堝底部的疏松粗糙表面提供了多種引晶方式,具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核,多種引晶并存縮短了多晶鑄錠的周期,多晶鑄錠的良率高。
聲明:
“多晶硅全熔鑄錠工藝及其用坩堝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)