本發明提供了一種芯片引線框架材料用高純Cu?Al?Ag合金的制備方法,包括:將銅粉、鋁粉和銀粉混合球磨得到混合粉體;將混合粉體冷等壓成型,得到Cu?Al?Ag合金毛坯;將所述Cu?Al?Ag合金毛坯放電等離子燒結,得到Cu?Al?Ag合金材料。本發明采用是濕化學法制備高純銅,通過在銅合金中添加Al、Ag成分,冷等靜壓成型技術制備合金素坯,再結合放電等離子燒結(SPS)技術,不僅可以再較低的溫度下制備出銅鋁合金材料,而且制備的芯片框架材料,純度高,導電率高,散熱性、強度高,進而滿足目前高端芯片框架及封裝材料的性能要求。
聲明:
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