本發明公開了一種雙向開關功率模塊及其制備方法,覆銅基板DBC的一側表面依次設置有驅動端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子,碳化硅MOSFET芯片包括多個且間隔設置,多個碳化硅MOSFET芯片之間兩兩一組并聯連接形成兩個不同方向的電力電子開關,每個碳化硅MOSFET芯片的柵極和源極分別經驅動電阻與驅動端子連接,多個碳化硅MOSFET芯片設置在同一片銅基板上,源極分別與功率端子連接,形成共漏極連接。本發明具有更高的工作頻率,更好的可靠性,更低的熱阻及良好的電氣性能。
聲明:
“雙向開關功率模塊及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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