本發明涉及一種二硅化鉬/碳化硅復合多孔陶瓷的制備方法。該方法使用Mo、Si、C、SiC及B元素粉模壓成型,通過調整真空度并熔滲Si進行燒結,獲得MoSi2/SiC復合多孔陶瓷,所得材料孔隙率穩定保持在50%或以上。該方法補充了現有多孔材料品種,和現有多孔陶瓷相比,獲得了更高使用溫度和抗氧化性能環境下使用的多孔陶瓷品種,該法工藝簡單,可規模生產。
聲明:
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