本發明公開了一種焊接式硅芯片高絕緣臺面鈍化保護工藝,包括以下步驟:硅單晶片切割、單晶片磨角、真空燒結、酸腐蝕、涂敷聚酰亞胺、真空排泡、階梯烘烤、清洗形成鈍化保護芯片、涂覆GD?406藍色硅橡膠、真空排泡、室溫硫化化、高溫固化、檢測、真空包裝出廠。本發明通過對傳統芯片制造工藝的改進,通過PI膠的應用對芯片臺面進行鈍化和雙層致密保護,并可有效地俘獲PN結臺面可移動電荷,降低了芯片的IRRM,提高了芯片抗擊穿能力和綜合電性能,解決了粘附性、熱膨脹、機械應力及氣孔等技術問題,從而得到一種保護致密、耐高壓、耐溫范圍廣、高性價比、高可靠性的高壓功率半導體模塊芯片,有效提高產品的可靠性和良品率,值得推廣和使用。
聲明:
“焊接式硅芯片高絕緣臺面鈍化保護工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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