發明公開了熱蒸發硅法生成碳化硅涂層的方法。?本發明在聚丙肺腈碳纖維表面合成SiC涂層。將硅粉或硅塊碎片放入石墨坩鍋底部,碳纖維橫置于坩鍋頂部,為了盡可能增加碳纖維與硅蒸汽的接觸并固定碳纖維,倒置同樣大小的坩鍋于擱置了碳纖維的坩鍋上,硅碎片和碳纖維之間始終保持距離。把這個裝置放入高溫真空燒結爐中,機械泵預抽真空1~5Pa,然后充入氬氣保護氣,再次用機械泵及擴散泵抽至10-4~10-2Pa,然后再次充入氬氣保護氣,關閉氬氣源。然后升溫到硅的熔點之上,保溫1~9小時,關掉電源,冷卻后取出纖維,纖維表面生成了一層碳化硅涂層。本發明具有設備簡單、無需氯硅烷或聚碳硅烷先驅氣體和氫氣等一系列優點。
聲明:
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