本發明提供了一種快速制備金剛石-碳化硅電子封裝材料的方法,其特征是按重量百分比,將10~15%的粘接劑,5~20%的石墨,20~40%的硅粉,30~60%的金剛石濕混16~24h。然后在100~200℃和10~50MPa壓力下溫壓成形獲得復合材料毛坯。在氬氣氣氛中1000~1100℃燒結16~24h,冷卻后得到具有一定強度和孔隙度的金剛石/硅/碳多孔基體。將所制備的金剛石/硅/碳多孔基體置于石墨坩堝中,用液相滲透的滲料填埋后將坩堝整體置于高真空燒結爐中進行真空液相滲透0.5-1h,滲透溫度1450~1550℃,真空度-0.08~-0.01MPa。冷卻后即獲得致密的金剛石-碳化硅電子封裝材料。
聲明:
“快速制備金剛石-碳化硅電子封裝材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)