本發明揭示了一種內嵌浮空N+區的LIGBT型ESD防護器件,ESD防護器件包括硅襯底,在硅襯底上設有埋氧層,埋氧層上設有漂移區,漂移區的左上方為漏極區,右上方為源極區;漂移區內中間引入浮空N+電荷區,在N?buffer區中為漏極重摻雜P+區;在P?body區中為源極重摻雜N+區,重摻雜P+區。本發明可解決現有技術中普遍存在的觸發電壓過高、維持電壓過低、抗閂鎖能力不足的技術問題,設計了一種內嵌浮空N+區的LIGBT型ESD防護器件,由于浮空重摻雜N+電荷區的存在,觸發時器件擊穿結P?body/N?epi結冶金結處電場分布得到調制,更易發生雪崩擊穿,因此降低了觸發電壓。
聲明:
“內嵌浮空N+區的LIGBT型ESD防護器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)