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電子束分次熔煉提純多晶硅的方法

681   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 14:46:01
本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預處理:對坩鍋水冷、電子槍預熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時間后停止束流,重復小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術,一方面降低硅的蒸發損失量,此方法提純效果好,技術穩定,工藝簡單,節能降耗,周期短,生產效率高。
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