本發明公開了一種應用于高純冶金級多晶硅太陽電池的減反射膜,該減反射膜是由兩層膜構成,第一層膜設在高純冶金級多晶硅太陽電池的硅片襯底的表面,第一層膜的厚度為35~50NM,折射率為2.25~2.35;第二層膜設在第一層膜的表面,第二層膜的厚度為40~55NM,折射率為1.95~2.05;兩層膜的成分均為氮化硅;兩層膜的綜合膜厚為82~89NM,綜合折射率2.03~2.12。該減反射膜可以明顯降低電池表面對光的反射,提高高純冶金級(UMG)多晶硅太陽電池的光電轉化效率。
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