本發明涉及一種微波等離子體輔助的多晶硅提純方法,將硅料放置于真空中頻感應爐的石墨坩堝后,將爐體抽真空至壓力≤1Pa;開啟中頻電源,以10~100℃/min的速率升溫至1500~1650℃,加熱直至硅料完全熔化;開啟微波源,通入反應氣體,進行反應熔煉;熔煉結束后,進行澆鑄,得到純度>99.999%的高純多晶硅。本發明結合了真空中頻精煉和微波等離子體反應加熱進行除雜,反應條件溫和,提純效果明顯,降低了能耗,有利于工業化生產。
聲明:
“微波等離子體輔助的多晶硅提純方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)