本發明涉及一種Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導體及其制備工藝。其設計要點在于該Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導體是由CuInTe2中的部分Cu和In元素同時等摩爾量替換為Zn元素,所述Zn元素在所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導體中的摩爾分數為0.01~0.05,所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導體的化學式為Cu1-xIn1-xZn2xTe2,其中0≤x≤0.1。本發明采用常規的粉末冶金法制備,工藝簡單;采用金屬元素Zn等摩爾替換CuInTe2中Cu和In元素,成本較低;材料具有環保特性,無噪音,適合作為一種綠色能源材料使用。
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