本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種淺熔池真空熔煉提純多晶硅的方法,在真空度為0.001Pa以下的高真空條件下,先在熔煉坩堝中通過感應加熱1430-1460℃熔化高純多晶硅料,形成高純硅熔液,并使其保持液態,然后升溫使硅熔液溫度達到1500-1600℃;高磷、高金屬硅棒連續緩慢的加入硅熔液之中,雜質磷在淺層熔池中不斷蒸發而得到去除,待高磷、高金屬硅棒完全熔入熔池后,感應加熱使熔煉坩堝中液態在1450-1500℃溫度下保持一段時間,進行定向凝固,切去硅錠頂部金屬雜質含量較高的多晶硅即可。本發明綜合高溫、高真空大面積淺熔池熔煉和定向凝固的技術,其提純效果好,操作簡單,節約能源,成本低,生產效率高,適合批量生產。
聲明:
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