高光電轉換效率太陽(yáng)能電池的制造方法及高光電轉換效率太陽(yáng)能電池

權利要求書(shū)： 1.一種太陽(yáng)能電池的制造方法，其是使用單結晶硅基板制造單結晶硅太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于包含：使用石英爐將前述單結晶硅基板在800℃以上1200℃以下熱處理的高溫熱處理步驟，將前述太陽(yáng)能電池的制造所使用的單結晶硅基板定為初期晶格間氧濃度為12ppma(JEIDA)以上者，該高溫熱處理步驟具有： 將前述單結晶硅基板裝填至熱處理裝置的搬運步驟；及將前述單結晶硅基板加熱的加熱步驟；及 將前述單結晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定溫度的保溫步驟；及將前述單結晶硅基板冷卻的冷卻步驟，在前述高溫熱處理步驟之中，將通過(guò)前述搬運步驟及前述加熱步驟而使前述單結晶硅基板的溫度成為400℃以上650℃以下的時(shí)間定為5分鐘以?xún)?，以批次處理進(jìn)行前述高溫熱處理步驟， 將前述太陽(yáng)能電池的制造后前述單結晶硅基板所含的氧的析出量定為2ppma(JEIDA)以下。 2.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中由前述單結晶硅基板制造出前述太陽(yáng)能電池的期間，在最初的前述高溫熱處理步驟中，將前述單結晶硅基板的溫度成為 400℃以上650℃以下的時(shí)間定為5分鐘以?xún)取? 3.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中在含有惰性氣體的氣體環(huán)境下進(jìn)行前述高溫熱處理步驟。 4.根據權利要求3所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中前述惰性氣體為氮或氬。 5.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中在含有氧或水的氣體環(huán)境下進(jìn)行前述高溫熱處理步驟。 6.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中在前述搬運步驟之中，將前述單結晶硅基板在10分鐘以?xún)扰渲糜谇笆鰺崽幚硌b置的加熱區。 7.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中將前述單結晶硅基板定為CZ單結晶硅基板。 8.一種太陽(yáng)能電池，其是通過(guò)根據權利要求1至7中任一項所述的太陽(yáng)能電池的制造方法所制造的太陽(yáng)能電池，其特征在于：前述單結晶硅太陽(yáng)能電池中，前述單結晶硅基板在電致發(fā)光或光致發(fā)光時(shí)沒(méi)有漩渦紋。 9.一種太陽(yáng)能電池，其是具備CZ單結晶硅基板的單結晶硅太陽(yáng)能電池，其特征在于：前述CZ單結晶硅基板所含的氧的析出量為2ppma(JEIDA)以下，前述CZ單結晶硅基板所含的殘存晶格間氧濃度為10ppma(JEIDA)以上，前述單結晶硅太陽(yáng)能電