硅太陽(yáng)能電池單元的金屬化

權利要求書(shū)： 1.一種太陽(yáng)能電池單元，其包括： 半導體材料，所述半導體材料具有位于所述半導體材料的光接收表面上方的介電層； 多個(gè)印刷燒穿觸點(diǎn)，所述多個(gè)印刷燒穿觸點(diǎn)基本上穿過(guò)所述介電層，每個(gè)觸點(diǎn)在第一維度上縱向延伸；以及導電指狀物，所述導電指狀物在基本上垂直于所述第一維度的第二維度上縱向延伸，并且將所述多個(gè)觸點(diǎn)電連接至所述導電指狀物的相對端處的第一匯流條和第二匯流條，其中所述導電指狀物具有至少一個(gè)第一部分，所述至少一個(gè)第一部分覆蓋所述多個(gè)觸點(diǎn)并且電連接至所述多個(gè)觸點(diǎn)，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)中的每個(gè)觸點(diǎn)在所述第一維度上在所述導電指狀物的所述第一部分的一側或兩側處延伸超出所述導電指狀物的所述第一部分；并且其中所述導電指狀物的所述第一部分覆蓋所述介電層，并且基本上不穿過(guò)所述介電層。 2.根據權利要求1所述的太陽(yáng)能電池單元，其中所述導電指狀物的覆蓋電介質(zhì)的所述第一部分是所述導電指狀物的非燒穿部分。 3.根據權利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池單元，其中所述多個(gè)觸點(diǎn)直接接觸所述半導體材料或定位于所述半導體材料與所述介電層之間的導電層。 4.根據前述權利要求中任一項所述的太陽(yáng)能電池單元，其中所述導電指狀物在所述導電指狀物的分別鄰近所述第一匯流條和所述第二匯流條的部分或區域處的電導率高于位于所述第一匯流條與所述第二匯流條之間的中心部分或區域處的電導率。 5.根據權利要求4所述的太陽(yáng)能電池單元，其中通過(guò)相較于所述導電指狀物的區域的所述中心部分包括電導率更高的材料和/或通過(guò)相較于所述導電指狀物的區域的所述中心部分具有更大的材料厚度或寬度，所述導電指狀物的鄰近所述第一匯流條和所述第二匯流條的所述部分或區域的電導率高于所述導電指狀物的區域的所述中心部分處的電導率。 6.根據前述權利要求中任一項所述的太陽(yáng)能電池單元，其中所述導電指狀物包括至少一個(gè)第二部分，所述導電指狀物的所述第二部分基本上穿過(guò)所述介電層。 7.根據權利要求6所述的太陽(yáng)能電池單元，其中所述導電指狀物的所述第二部分是所述導電指狀物的印刷燒穿部分。 8.根據權利要求6或7所述的太陽(yáng)能電池單元，其中所述導電指狀物的所述第二部分直接接觸所述半導體材料或定位于所述半導體材料與所述介電層之間的導電層。 9.根據權利要求8所述的太陽(yáng)能電池單元，其中： 所述導電指狀物的所述第二部