權利要求書： 1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：
提供N型基底以及位于所述基底前表面的P型發射極，所述基底具有相對的所述前表面以及后表面，所述前表面為受光面，所述后表面為背光面；
在所述基底前表面形成氧化硅層，所述氧化硅層背離所述基底的表面分布有懸掛鍵；
在所述基底前表面形成第一鈍化層，所述第一鈍化層包括多個氮氧化硅子層，所述氮氧化硅子層覆蓋所述氧化硅層，臨近所述氧化硅層的所述氮氧化硅子層通過所述懸掛鍵與所述氧化硅層結合，所述氮氧化硅子層內摻雜有氫離子，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子層的厚度不大于20nm，在遠離所述基底的方向上，所述多個氮氧化硅子層的折射率遞減，在垂直于所述基底前表面的方向上，所述第一鈍化層的厚度為10nm~
25nm，所述第一鈍化層的第一折射率為1.4 2.0；
~
在所述第一鈍化層表面形成第二鈍化層，所述第二鈍化層包括多個氮化硅子層，在遠離所述基底的方向上，所述多個氮化硅子層的折射率遞減；
在所述基底后表面形成鈍化接觸結構。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，形成所述第一鈍化層的工藝步驟包括：采用第一射頻功率電離前驅體，以形成位于所述基底前表面的第一氮氧化硅子層；采用第二射頻功率電離所述前驅體，以形成覆蓋所述第一氮氧化硅子層的第二氮氧化硅子層，所述第一射頻功率大于所述第二射頻功率。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述第一射頻功率為
12000W 14000W，所述第二射頻功率為10000W 12000W。
~ ~
4.一種太陽能電池，其特征在于，包括：
N型基底以及位于所述基底前表面的P型發射極；
位于所述基底前表面的第一鈍化層，所述第一鈍化層包括多個氮氧化硅子層，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子層的厚度不大于20nm，所述氮氧化硅子層內摻雜有氫離子，在遠離所述基底的方向上，所述多個氮氧化硅子層的折射率遞減，在垂直于所述基底前表面的方向上，所述第一鈍化層的厚度為10nm 25nm，所述第一鈍化層的第~一折射率為1.4 2.0；
~
覆蓋所述第一鈍化層表面的第二鈍化層，所述第二鈍化層包括多個氮化硅子層，在遠離所述基底的方向上，所述多個氮化硅子層的折射率遞減；
聲明：
“太陽能電池及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
956
編輯：中冶有色網
來源：浙江晶科能源有限公司
分享 0
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
2025年07月09日 ~ 11日 
