1.本發明涉及靶材加工領域，具體涉及一種靶材結構及其制作方法。
背景技術：
2.濺射鍍膜靶材在半導體集成電路(vlsi)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用，鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。
3.半導體工業中，靶材主要分為圓柱靶材和平面靶材，平面靶材多采用磁控濺射技術沉積；磁控濺射即pvd(physical vapor deposition：物理氣相沉積)是指在真空條件下，采用中電壓、大電流的電弧放電技術，電離惰性氣體he產生he離子，he轟擊靶材使靶材原子在磁場的控制下旋轉并均勻地沉積在基板上。
4.在磁控濺射過程中，由于濺射中對腔體的加熱，濺射過程中加入電子的加速電場，加速電子轟擊靶材的過程不斷給予靶材能量，導致濺射中的靶材溫度升高，由于靶材綁定的金屬銦的熔點低，靶材背板的導熱性差，靶材與銅背板的熱膨脹系數相差大，冷熱膨脹過程中導致的局部應力差值巨大，容易導致靶材受到熱冷膨脹的應力而開裂，甚至導致靶材脫離銅背板。
5.對于一些陶瓷靶材及金屬氧化物靶材，由于靶材受到應力影響容易開裂，因此做成小塊進行綁定，綁定后，靶材小塊之間形成縫隙，靶材縫隙上是沒有靶材材料而是裸露的金屬銅，隨著濺射時間的延長，靶材高度的消耗，金屬銅也會被電子轟擊出來污染腔體，摻雜在靶材材料中，影響電器件的電性特性，并且間隙中容易積累一定的顆粒，顆粒容易掉落在器件上，形成線路的短路及斷路不良。
技術實現要素：
6.針對現有技術的不足，本發明提供一種靶材結構及其制作方法，解決靶材冷卻過程中溫度不均導致的應力集中，彌補綁定材料銦導熱差，熔點低的缺點，解決濺射靶材開裂，脫靶，顆粒聚集的問題。
7.為了實現上述目的，本發明采用以下技術：
8.一種靶材結構，包括銅背板，銅背板上設有靶材，所述靶材分隔成若干塊設在銅背板上，每塊靶材與銅背板之間設有綁定金屬層，所述綁定金屬層由銅銦合金成型，若干塊靶材之間形成靶材間隙，所述靶材間隙設有填充物。
9.所述靶材為ito，izo，azo，igzo靶材中的一種。
10.不管靶材濺射設備采用直流或者交流電源濺射，靶材間隙的填充物均可為有機物，所述有機物包括聚酰亞胺、四氟乙烯，特氟龍等。
11.當裝載靶材的物理氣相沉積采用直流電源驅動粒子轟擊濺射時，靶材
聲明：
“靶材結構及其制作方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：福建華佳彩有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
