1.本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種碲鋅鎘單晶圓片制備工藝。
背景技術：
2.半導體產業的第一步是制備人工晶體。經過100多年的研究，晶體的生長方法多種多樣。其中，布里奇曼法(bridgeman)和垂直梯度凝固法(vertical gradient freeze，vgf)為代表的一類方法得到廣泛使用。這類方法將原料的熔體置于一個可控溫場中，通過調節溫場本身，或者使容器和溫場相對運動，來獲得晶體生長所需要的溫度條件。對于這類熔體到晶體的生長方法來講，生長過程中，生長界面的狀態直接決定了生長進度，晶體質量。
3.碲鋅鎘(czt)是一種含有少量zn元素的ii-vi族化合物半導體，碲鋅鎘原子數高(約為50)、密度高(6g/cm3)。由碲鋅鎘單晶體制作的襯底片是碲鎘汞(mct)探測器(目前主流的中高端紅外探測器)制作的關鍵原料之一，即使在體積小于4mm3的情況下該材料也能夠保證對能量低于180kev的粒子有較高的量子探測效率。碲鋅鎘單元探測器的面積或者分立電極單體探測器的節距尺寸可以做的很小，能夠保證制得空間分辨率很好的成像系統。碲鋅鎘探測器的能譜分辨率要比閃爍體探測器的能譜分辨率高很多。碲鋅鎘探測器具有較低的漏電流，有利于它們在小功率集成電子系統中的應用。因此，碲鋅鎘晶體在核醫學、高能物理、輻射探測、探礦等領域有廣泛的應用。
4.碲鋅鎘晶體及其熔體的導熱性都很差，固化潛熱難以散發，熔體對流不暢，導致固液界面不易控制。碲鋅鎘晶體的堆垛缺陷能(層錯)很低，在晶體生長過程中，細微的溫度波動和界面波動都能引起孿晶產生。為了克服晶體生長過程中的困難，相關研究者開發了多種碲鋅鎘晶體生長方法，包括vb法、vgf法、thm法等多種，但均無法解決熔體對流不暢導致的晶體生長缺陷。同時，現有方法中由于制備溫度較高，仍然不可避免引入來自石英管壁等的鈉等雜質元素，造成污染?；诖?，如何提供一種能在晶體生長過程中減少雜質元素、進一步提升晶體質量是本領域技術人員亟需解決的技術問題。
技術實現要素：
5.(1)要解決的技術問題
6.本發明實施例提供了一種碲鋅鎘單晶圓片制備工藝，包括制備多晶棒、富碲合金；將籽晶、多晶棒、富碲合金放入石英管中高溫加熱得到碲鋅鎘單晶晶棒；再對對得到的單晶晶棒經切片、腐蝕、拋光和清洗處理，得到碲鋅鎘單晶圓片。本發明實施例制備工藝過程簡單，所需溫度低，便于實施
聲明：
“碲鋅鎘單晶圓片制備工藝的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：安徽承禹半導體材料科技有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
