本發明提供一種透射電鏡樣品的制作方法,屬于半導體制造技術領域,包括:在待觀測層上設置復數個位置標記;微透鏡層上方的第一平面電鍍鉑金保護層;沿垂直于第一平面的方向對失效芯片切割得到具有失效點以及位置標記的待檢測樣品;將待檢測樣品上與第一平面相垂直的第二平面粘貼于第一承載基體上;沿垂直于第二平面的方向對待檢測樣品及第一承載基體進行切割得到具有失效點以及位置標記且底部附著有第一承載基體切割后剩余部分的立體透射電鏡樣品;將立體透射電鏡樣品粘貼于第二承載基體上并進行減薄操作,得到具有失效點以及位置標記的平面透射電鏡樣品并染色。本發明的有益效果:解決BSI芯片的透射電鏡樣品無法有效染色的問題。
聲明:
“透射電鏡樣品的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)