本發明公開了一種基于非精確定位的透射電鏡樣品制備方法,屬于半導體技術領域。所述方法包括:提供失效分析芯片,對失效分析芯片中的失效點進行定位并標記得到標記區域;在標記區域的一側切割第一楔形空洞,并對第一楔形空洞中靠近標記區域的截面進行減薄直至觀察到失效點;在觀察到失效點的截面上形成保護層;在標記區域的另一側切割第二楔形空洞,并對第二楔形空洞中靠近標記區域的截面進行減薄直至得到預設厚度的初樣;對初樣的底部進行U形切斷后進行減薄,得到透射電鏡樣品。本發明中的方法,能夠有效的避免失效點的誤切,以及已切到失效點的一面在后續工藝中被損傷或者濺臟,從而提高了制樣成功率,改善了觀察結果。
聲明:
“基于非精確定位的透射電鏡樣品制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)