本發明公開了一種砷化鎵單片微波集成電路的可靠性評估方法,它包括如下步驟:對砷化鎵單片微波集成電路進行分析從而獲得與芯片有關的失效率和與封裝及外部環境有關的失效率;根據所述與芯片有關的失效率和與封裝及外部環境有關的失效率之和評估砷化鎵單片微波集成電路的可靠性程度。本發明為砷化鎵單片微波集成電路的失效率水平和可靠性評估提供了準則,為確定砷化鎵單片微波集成電路可靠性指標,開展電子設備可靠性預計提供依據。
聲明:
“砷化鎵單片微波集成電路的可靠性評估方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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