本申請公開了一種測試絕緣雙極型晶體管芯片的方法,通過調取絕緣雙極型晶體管芯片模型;在所述絕緣雙極型晶體管芯片模型的鍵合線與鍵合面處設置芯片表面金屬層;對設置芯片表面金屬層后的絕緣雙極型晶體管芯片模型進行仿真模擬,得到模擬失效數據,并通過所述模擬失效數據得到與所述絕緣雙極型晶體管芯片模型對應的絕緣雙極型晶體管芯片的測試結果。由于金屬層對器件的結構強度與導熱導電中均起到重要作用,同時也影響著所述鍵合線與所述鍵合面的連接結構,因此,本申請提供的模型更貼近實際工作中的情況,得到的測試結果也就更準確。本申請同時還提供了一種具有上述有益效果的測試絕緣雙極型晶體管芯片的裝置、設備及計算機可讀存儲介質。
聲明:
“測試絕緣雙極型晶體管芯片的方法、裝置及設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)