本發明公開的一種柵氧化層失效點的定位方法,通過于去除金屬層后,采用中高加速電壓形成的電子束掃描去除金屬層后待測半導體結構得到一具有失效點圖形電鏡圖,并根據該電鏡圖確定失效點在柵氧化層中的位置,從而能夠更精確的定位柵氧化層的擊穿點,進而有效的提高了柵氧化層擊穿電壓測試失效分析的成功率,進一步縮短了后續透射電鏡樣品的制備時間,提高了柵氧化層擊穿電壓測試失效分析的效率,給需要精確定位的透射電鏡樣品的制備提供了必要的條件,且在無法使用光學定位機臺時,仍然可以精確定位柵氧化層的擊穿點以及柵氧化層的失效分析。
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