本發明提供了一種對封裝芯片進行測試及失效分析的方法,對封裝芯片靠近金球的一面進行第一次研磨,至暴露出所述金球,從而可以采用探測板通過金球對所述封裝芯片進行探針測試;對封裝芯片靠近硅襯底的一面進行第二次研磨,至暴露出所述硅襯底,從而可以采用紅外定位的方法確定封裝芯片的失效點,避免了現有技術中高溫和化學腐蝕對封裝芯片的影響或破壞,提高對封裝芯片進行失效分析的準確性及效率。
聲明:
“對封裝芯片進行測試及失效分析的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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