本發明屬于半導體材料領域,公開了一種摻氮的Sb納米相變薄膜材料,其化學組成通式為SbNx,其中Sb代表銻元素,N代表氮原子,x代表不同的摻氮量標記,x=1、2或3;經EDS測定,x=1時摻入的氮原子百分比為9.6%,x=2時摻入的氮原子百分比為15.3%;x=3時摻入的氮原子百分比為22.5%。本發明的摻氮的Sb材料較好的解決了純Sb材料的缺點和不足。通過摻入不同的氮原子,使Sb的晶化溫度有了明顯的提高,數據保持能力得到加強,因而提高了其穩定性。同時通過晶態電阻的提高,使得其RESET功耗降低了。
聲明:
“摻氮的Sb納米相變薄膜材料及其制備方法與用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)