合肥金星智控科技股份有限公司
宣傳

位置:中冶有色 >

有色技術頻道 >

> 化學分析技術

> 基于少層二維半導體材料形成布拉格激子極化激元的方法

基于少層二維半導體材料形成布拉格激子極化激元的方法

976   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:56:51
本發明涉及一種基于少層二維半導體材料形成布拉格激子極化激元的方法,包括如下步驟:(1)采用高真空電子束蒸鍍技術在Si襯底表面交替沉積一定對數的折射率不同的介質膜材料,形成分布式布拉格反射鏡,構造平板半微腔;(2)采用機械剝離或是化學氣相沉積法將少層二維半導體材料制備在平板半微腔上;(3)在合適的激發光源作用下便可以形成激子極化激元。本發明大幅簡化了傳統的諧振腔或增益介質的多重插入式結構設計,在少層二維半導體材料表面形成激子極化激元,使得激子極化激元更容易觀測和調控,有利于實用型二維半導激子極化激元器件的開發及應用。
登錄解鎖全文
聲明:
“基于少層二維半導體材料形成布拉格激子極化激元的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
分享 0
         
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
標簽:
化學分析
全國熱門有色金屬技術推薦
展開更多 +

 

中冶有色技術平臺

最新更新技術

報名參會
更多+

報告下載

赤泥綜合利用研究報告2025
推廣

熱門技術
更多+

衡水宏運壓濾機有限公司
宣傳
環磨科技控股(集團)有限公司
宣傳

發布

在線客服

公眾號

電話

頂部
咨詢電話:
010-88793500-807
專利人/作者信息登記
在线精品视频播放|无码 有码 国产18p|宅男精品一区在线观看|伊人色综合久久天天人手人婷|亚洲熟肥妇女BBXX