本發明公開了一種In摻雜硫化鋅薄膜及其制備方法和應用,采用化學浴沉積法制備薄膜,屬于非真空化學氣相沉積,該方法薄膜成份容易控制、制備成本低、適合進行大規模生產。本發明利用摻入雜質的辦法來降低硫化鋅薄膜的電阻率,測試表明:當在ZnS中摻雜2at.%的In時,薄膜的雜質相少、光學透過率高(可見光區的光學透過率約為85%)、電阻率低(2.6×105Ωcm)。所制得的ZnS薄膜適用于作為太陽電池的緩沖層材料。
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